【量子】半導体系誤り耐性量子コンピュータの実現に前進、理研が高速・高精度なスピン状態の読み出しに成功
半導体系誤り耐性量子コンピュータの実現に前進、理研が高速・高精度なスピン状態の読み出しに成功理化学研究所(理研)と科学技術振興機構(JST)の両者は2月14日、「シリコン量子ドットデバイス」において、電子スピンの状態を高速かつ高精度に測定することに成功したと共同で発表した。
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