【半導体】NTTが世界初の窒化アルミ電界効果トランジスタ、高温高耐圧「パワー半導体」実現へ
NTTが世界初の窒化アルミ電界効果トランジスタ、高温高耐圧「パワー半導体」実現へNTT物性科学基礎研究所の広木正伸主任研究員と谷保芳孝上席特別研究員らは、窒化アルミニウムの電界効果トランジスタを開発した。絶縁破壊電圧は1700ボルトと大きく、500度Cの電流値は100万倍のオンオフ比を実現した。耐熱性が高いと高温下でも冷却なしで稼働できる。
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