【材料科学】東工大、高耐熱性と酸化物半導体並みの移動度を実現した有機半導体材料を開発 液晶性をトランジスタ材料に付与
今回開発された液晶性有機トランジスタ材料「Ph-BTBT-10」の化学構造
Ph-BTBT-10の多結晶薄膜を用いたトランジスタの動作特性東京工業大学(東工大)は4月10日、液晶性を付与した高性能な有機トランジスタ材料の開発に成功し、酸化物半導体(IGZO)並みの高い移動度を実用度の高いボトムゲート・ボトムコンタクト型トランジスタで実現できることを確認したと発表した。
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